Poursuite contre les géants de la tech pour entente sur les prix de la RAM

Trois des plus grands fabricants de mémoire vive au monde — Samsung, SK Hynix et Micron — sont poursuivis en justice pour une prétendue entente visant à gonfler artificiellement les prix de la RAM. Une action collective a été déposée devant le tribunal de district de Californie du Nord par 14 particuliers et trois entreprises, accusant ces sociétés de coordination illicite. Les plaignants affirment que les fabricants ont limité l'offre et maintenu des prix élevés, causant un préjudice aux consommateurs et aux entreprises.

Selon la plainte, la collusion aurait duré plusieurs années, débutant en 2016. Les preuves incluraient des documents internes, des courriels et des témoignages d'anciens employés révélant des réunions secrètes et des échanges d'informations confidentielles. Les entreprises auraient coordonné leurs volumes de production et les prix des puces DRAM, essentielles pour les ordinateurs, serveurs et appareils mobiles.

Ce n'est pas la première fois que les fabricants de mémoire sont accusés de fixation des prix. Des affaires similaires ont déjà été jugées en Union européenne et en Corée du Sud, où des amendes ont été infligées. Cependant, cette action américaine est l'une des plus importantes et pourrait entraîner des conséquences financières majeures pour les défendeurs.

Si les allégations sont prouvées, les consommateurs et entreprises pourraient recevoir des milliards de dollars de compensation. L'affaire pourrait également renforcer la régulation du marché des semi-conducteurs et la surveillance des prix. Les avocats des plaignants se disent prêts à présenter des preuves solides de l'entente.

Pour l'instant, Samsung, SK Hynix et Micron n'ont pas commenté. Les analystes pensent qu'ils contesteront les accusations en invoquant des facteurs de marché comme la demande croissante et la pénurie de composants. Le procès pourrait durer des années, mais il attire déjà l'attention mondiale sur les pratiques monopolistiques dans le secteur de la mémoire.